Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSS123
Product Overview
Κατασκευαστής:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSS123-DG
Περιγραφή:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Αποθέμα:
143884 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12988660
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSS123 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Anbon Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
14 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
4530-BSS123TR
4530-BSS123CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPH2R903PL,L1Q
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
IPW65R125CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
