AOW2918
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

AOW2918

Product Overview

Κατασκευαστής:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

AOW2918-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 90A (Tc) 2.1W (Ta), 267W (Tc) Through Hole TO-262

Αποθέμα:

12848454
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
jVzu
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

AOW2918 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Ta), 90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.9V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3430 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.1W (Ta), 267W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
AOW29

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
785-1380-5

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMS7660

MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN

onsemi

NVMFS6B14NLT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

FDB8445

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

onsemi

FDS5351

MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC