Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
AON7422E
Product Overview
Κατασκευαστής:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
AON7422E-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
Αποθέμα:
12849355
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
nwrS
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
AON7422E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2940 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN-EP (3x3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
AON742
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD17309Q3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Texas Instruments
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7403
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD17309Q3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.38
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TPN4R303NL,L1Q
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4115
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TPN4R303NL,L1Q-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AON7422G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AON7422G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ3E180GNTB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4770
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ3E180GNTB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ3E160ADTB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17994
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ3E160ADTB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCPF150N65F
MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
AON2707
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN